ESD7561N2T5G
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | - | |
| 钳位电压 | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 峰值脉冲电流(Ipp) | - | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | - | |
| 击穿电压 | - |
商品概述
ESD7561旨在保护需要超低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。它在不同电压下具有业界领先的电容线性度，非常适合射频（RF）应用。这种电容线性度，再加上极小的封装和低插入损耗，使该器件非常适合用于无线手机和终端的天线线路应用。
商品特性
- 业界领先的电压电容线性度
- 超低电容：典型值0.3 pF
- 插入损耗：1 GHz时为0.05 dB；3 GHz时为0.21 dB
- 低泄漏电流：< 1 nA
- 符合以下IEC标准的保护：
- IEC61000 - 4 - 2（ESD）：4级 ±18 kV接触放电
- IEC61000 - 4 - 4（EFT）：40 A -5/50 ns
- IEC61000 - 4 - 5（雷击）：1 A (8/20 μs)
- ISO 10605（ESD）330 pF/2 kΩ ±23 kV接触放电
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），并符合RoHS标准
应用领域
- RF信号ESD保护
- RF开关、功率放大器（PA）和天线ESD保护
- 近场通信
- USB 2.0、USB 3.0