MMBZ33VALT3G

这些双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电（ESD）敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等。其双结共阳极设计仅用一个封装就能保护两条独立线路，非常适合电路板空间有限的情况。

• SOT−23封装，可实现两种独立的单向配置或一种双向配置
• 工作峰值反向电压范围 - 3 V至26 V
• 标准齐纳击穿电压范围 - 5.6 V至33 V
• 峰值功率 - 24或40 W @ 1.0 ms（单向），见图6波形
• ESD等级： - 人体模型3B级（>16 kV） - 机器模型C级（>400 V）
• IEC61000−4−2 4级ESD等级，±30 kV接触放电
• 峰值脉冲电流下的最大钳位电压
• 低泄漏电流 <5.0 μA
• 可燃性等级UL 94 V - 0
• 汽车及其他需要独特标识和控制变更要求的应用使用SZ前缀；符合AEC−Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
• 这些器件无铅且符合RoHS标准

• 计算机
• 打印机
• 商用机器
• 通信系统
• 医疗设备