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SI8751AB-IS
带引脚控制或二极管仿真器输入的隔离式 FET 驱动器
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- 描述
- Si875x为创建定制固态继电器（SSR）配置开辟了新途径。Si875x将强大的隔离技术与SSR FET驱动器集成在一起。由于该产品可自行产生独立的栅极驱动输出电压，因此无需浮动次级侧直流电源。当与客户选择的外部FET结合使用时，可形成一个完整的固态继电器，使客户能够在成本、PCB面积、功率、导通电阻和热性能等方面对其系统进行优化。客户可以选择数字输入控制（Si8751）或二极管仿真控制（Si8752），以最适合其应用。Si875x集成了通用输出，支持驱动交流或直流负载配置。Si875x无需使用体积庞大的机械继电器，这类继电器难以安装到PCB上，还会给系统增加开关噪声。传统的SSR集成了光耦式LED输入，这限制了解决方案的工作温度范围。而Si875x没有此类限制，能够在整个工业和汽车温度范围内工作，且稳定性更高、寿命更长。Si875x仅需1 mA的输入电流，就能以标称10 V的电压驱动FET栅极。将输入电流增加到10 mA时，导通时间最快可达94 μs。Si8751的输入侧电压范围灵活，为2.25 V至5.5 V，支持与低功耗控制器无缝连接。Si875x器件提供有源密勒钳位功能，可防止当FET漏极出现高dV/dt时外部FET意外导通。Si875x符合AEC - Q100标准，适用于汽车应用。此外，其2.5 KVrms的隔离额定值是获得UL、CSA、VDE和CQC完整认证的基础。
- 商品型号
- SI8751AB-IS
- 商品编号
- C430294
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.218748克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 工作电压 | 2.25V~5.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 42us | |
| 下降时间(tf) | 15us | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 静态电流(Iq) | 140nA |
商品概述
Si875x为创建定制固态继电器（SSR）配置开辟了新途径。Si875x将强大的隔离技术与SSR FET驱动器集成在一起。由于该产品可自行产生独立的栅极驱动输出电压，因此无需浮动次级侧直流电源。当与客户选择的外部FET结合使用时，可形成一个完整的固态继电器，使客户能够在成本、PCB面积、功率、导通电阻和热性能等方面对其系统进行优化。 客户可以选择数字输入控制（Si8751）或二极管仿真控制（Si8752），以最适合其应用。Si875x集成了通用输出，支持驱动交流或直流负载配置。 Si875x无需使用体积庞大的机械继电器，这类继电器难以安装到PCB上，还会给系统增加开关噪声。 传统的SSR集成了光耦式LED输入，这限制了解决方案的工作温度范围。而Si875x没有此类限制，能够在整个工业和汽车温度范围内工作，且稳定性更高、寿命更长。 Si875x仅需1 mA的输入电流，就能以标称10 V的电压驱动FET栅极。将输入电流增加到10 mA时，导通时间最快可达94 μs。Si8751的输入侧电压范围灵活，为2.25 V至5.5 V，支持与低功耗控制器无缝连接。Si875x器件提供有源密勒钳位功能，可防止当FET漏极出现高dV/dt时外部FET意外导通。 Si875x符合AEC - Q100标准，适用于汽车应用。此外，其2.5 KVrms的隔离额定值是获得UL、CSA、VDE和CQC完整认证的基础。
商品特性
- 驱动用户选择的外部FET
- 可选数字输入控制（Si8751）或二极管仿真控制（Si8752）
- 内部生成次级侧电源
- 1 mA输入电流下输出10 V
- 最快82 μs导通时间和46 μs关断时间
- 有源密勒钳位，防止意外导通并减少电感抖动
- 支持交流或直流负载切换
- 2.5 KVrms隔离额定值
- 获得UL、CSA、VDE和CQC认证
- 符合AEC - Q100标准
- 工业级温度范围 -40至105 ℃，汽车级温度范围 -40至125 ℃
- 符合ROHS标准的SOIC - 8封装
应用领域
- 电机控制
- 阀门控制
- 暖通空调继电器
- 混合动力/电动汽车充电
- 电池监测
- 交流市电线路开关