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SI823H6BD-IS3

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品牌名称: SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)
商品型号: SI823H6BD-IS3
商品编号: C430250
商品封装: SOIC-16-300mil
包装方式: 管装
商品毛重: 0.961克(g)

商品概述

Si823Hx 将两个隔离栅极驱动器组合在单一封装中，适合大功率应用。Si823Hx 包括采用单或双控制输入及独立或高侧/低侧输出的设备。这些驱动器可在 3.0 - 5.5 V 输入 VDD 和最大 30 V 的驱动器电源电压下工作。 Si823Hx 非常适合驱动用于多种开关电源和电机控制应用的功率 MOSFET 和 IGBT。这些驱动器采用自主研发的硅隔离技术，最高支持 1 分钟的 5 kVRMS 隔离电压。这项技术可实现高 CMTI (125 kV/µs)、更低传播延迟和偏移、温度变化和使用寿命过程中变化极低，并且零件匹配更紧密。独特的输出级体系结构中配有增压设备，可在负载电源开关的米勒平坦区提供更高的上拉能力，以支持更快的开启速度。该驱动器产品系列还提供一些独有的功能，如过热保护、输出欠压锁定(UVLO) 故障检测、死区时间可编程性，以及默认为低的故障保护驱动器（以应对输入侧断电的情况）。与光耦合栅极驱动器相比，Si823Hx 产品系列可提供更长的使用寿命和明显增强的可靠性。可以为某些部件编号提供汽车级。这些产品制造过程中的所有步骤均遵循汽车专用流程，能够确保汽车应用所需的稳健性和低缺陷率。

商品特性

一个封装中包含一件或两件隔离驱动器
高达 5 kVRMS 隔离
高达 1500 VDC 峰值驱动器到驱动器差分电压
可增强安全性的 EN 引脚，或 DIS 引脚选项
PWM 和双驱动器版本
4.0 A 灌/源峰值输出
高电磁抗扰度
30 ns 最大传播延迟
瞬态抗扰度： >125 kV/µs
可编程死区时间：20 – 200 ns
用于噪声滤波的抗尖峰脉冲选项
宽泛的温度范围：–40 至 +125 °C
符合 RoHS 标准的封装：SOIC-14 WB、QFN-14、SOIC-8、SSO-8、SOIC-16 NB
AEC-Q100 认证
可提供汽车级 OPN
符合 AIAG 要求的 PPAP 文件支持
IMDS 和 CAMDS 列表支持

应用领域

供电系统
电机控制系统
直流到直流隔离供电
车载充电器
电池管理系统
充电站
照明控制系统
太阳能和工业变换器
牵引逆变器
混合动力汽车
电池动力汽车

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	负载类型	MOSFET；IGBT
	工作电压	3V~5.5V

	属性	参数值
	下降时间(tf)	12ns
	工作温度	-40℃~+125℃