温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.08nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 375pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
先进功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 SO-8封装在所有商业-工业表面贴装应用中广受欢迎，适用于如DC/DC转换器等低压应用。
商品特性
- 驱动要求简单
- 更低的导通电阻
- 快速开关特性
- 符合RoHS标准且无卤