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AP83T03GM
1个N沟道 耐压:30V 电流:16A
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- 描述
- N沟道
- 品牌名称
- APEC(富鼎)
- 商品型号
- AP83T03GM
- 商品编号
- C429864
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.204克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.6mΩ@10V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.11nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 310pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP83T03系列采用先进功率（Advanced Power）创新的设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种超高效的器件，可广泛应用于各种电源领域。 SO-8封装在所有采用红外回流技术的商业-工业表面贴装应用中广受欢迎，适用于电压转换或开关应用。
商品特性
- 更低的导通电阻
- 简单的驱动要求
- 快速开关特性
- 符合RoHS标准且无卤