AD587JN

AD587代表了先进的单片电压基准源的重大进步。采用专有的离子注入掩埋齐纳二极管和对高稳定性薄膜电阻进行激光晶圆微调技术，AD587以低成本提供了卓越的性能。 与带隙电压基准源相比，掩埋齐纳二极管的基准设计方法具有更低的噪声和漂移。AD587提供了一个降噪引脚，可用于进一步降低掩埋齐纳二极管产生的噪声水平。 AD587推荐用作需要外部精密基准源的8位、10位、12位、14位或16位DAC的基准源。该器件也非常适合用于精度高达14位的逐次逼近型或积分型ADC。一般来说，它的性能优于标准的片上基准源。 AD587J和AD587K规定的工作温度范围为0℃至70℃，AD587U规定的工作温度范围为 -55℃至 +125℃。AD587JQ和AD587UQ型号采用8引脚CERDIP封装。其他型号提供适用于表面贴装应用的8引脚SOIC封装或8引脚PDIP封装。

• 激光微调至高精度10.000 V ±5 mV（U级）
• 微调后的温度系数最大5 ppm/℃（U级）
• 降噪能力
• 低静态电流：最大4 mA
• 输出微调能力
• 提供符合MIL - STD - 883标准的版本