AD587TQ

AD587代表了单片电压基准源技术的重大进步。采用专有的离子注入掩埋齐纳二极管和高稳定性薄膜电阻激光晶圆微调技术，AD587以低成本提供了出色的性能。 AD587的性能远高于大多数其他10 V基准源。由于AD587采用行业标准引脚排列，许多系统可立即用AD587进行升级。与带隙电压基准源相比，掩埋齐纳二极管基准源设计方法具有更低的噪声和漂移。AD587提供一个降噪引脚，可用于进一步降低掩埋齐纳二极管产生的噪声水平。 建议将AD587用作8位、10位、12位、14位或16位D/A转换器的基准源，这些转换器需要外部精密基准源。该器件也非常适合精度高达14位的逐次逼近型或积分型A/D转换器，并且通常能提供比标准片上基准源更好的性能。 AD587J、K和L的工作温度范围为0°C至+70°C，AD587S、T和U的工作温度范围为-55°C至+125°C。所有等级均提供8引脚陶瓷双列直插封装。J和K版本还提供8引脚小外形集成电路（SOIC）封装，适用于表面贴装应用，而J、K和L等级还提供8引脚塑料封装。

• 激光微调至高精度：10.000 V ±5 mV（L和U等级）
• 微调温度系数：最大5 ppm/°C（L和U等级）
• 降噪能力
• 低静态电流：最大4 mA
• 输出微调能力
• 提供符合MIL-STD-883标准的版本