TLV2352IPWLE
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 比较器 | |
| 比较器数 | 双路 | |
| 输入失调电压(Vos) | 1mV | |
| 输入偏置电流(Ib) | 5pA | |
| 传播延迟(tpd) | 200ns | |
| 滞后电压(Vhys) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 共模抑制比(CMRR) | - | |
| 输出类型 | - | |
| 输出模式 | CMOS；TTL | |
| 静态电流(Iq) | 120uA | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
TLV2352由两个独立的低功耗比较器组成，专为单电源应用而设计，可在低至2 V的电源轨下工作。当采用3 V电源供电时，典型电源电流仅为120 μA。 TLV2352采用LinCMOS技术设计，因此具有极高的输入阻抗（典型值大于10^12 Ω），可直接与高阻抗源接口。输出为N沟道开漏配置，需要外接上拉电阻以提供正输出电压摆幅，并且可以连接以实现正逻辑线与关系。TLV2352I在3 V和5 V、- 40°C至85°C的工作条件下进行了全面特性测试。TLV2352M在3 V和5 V、- 55°C至125°C的工作条件下进行了全面特性测试。 TLV2352内置静电放电（ESD）保护电路，采用人体模型测试时，ESD额定值为1000 V。
商品特性
- 宽电源电压范围：2 V至8 V
- 在3 V和5 V下进行全面特性测试
- 极低的电源电流消耗：3 V时典型值为120 μA
- 输出与TTL、MOS和CMOS兼容
- 快速响应时间……对于TTL电平输入阶跃，典型值为200 ns
- 高输入阻抗……典型值为10^12 Ω
- 极低的输入偏置电流：典型值为5 pA
- 共模输入电压范围包含地
- 内置ESD保护
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(2000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2000个/圆盘
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