IH5009 系列模拟开关专为满足工业应用中对易于使用、低成本开关的需求而设计。尽管低成本是主要设计目标，但并未牺牲性能和通用性。
每个封装最多包含四个模拟选通通道，旨在消除对外部驱动器的需求。奇数编号的器件设计为可直接由 TTL 集电极开路逻辑（15 伏）驱动，而偶数编号的器件则可直接由低电平 TTL 逻辑（5 伏）驱动。每个通道模拟一个单刀双掷（SPDT）开关。通过不连接二极管阴极可实现单刀单掷（SPST）开关功能；若要实现单刀双掷功能，阴极应接地（0V）。这些器件适用于高性能多路复用和换向应用。逻辑“0”使通道导通，逻辑“1”使通道关断。
在结型场效应管（JFET）型模拟开关的漏极处看到的信号可任意分为两类：小于 ±200mV 的信号和大于 ±200mV 的信号。前一类包括所有在运算放大器虚地点进行开关操作的电路，IH5009 系列电路主要针对这些应用。
通过将开关点的模拟信号限制在 ±200mV 以内，无需外部驱动器，也无需额外的电源。
器件有共漏极和非共漏极两种类型。
具有共漏极特性的器件除了通道开关外，还有另一个场效应管。这个场效应管的栅极和源极相连，使得 VGs = 0，旨在补偿开关的导通电阻。当与反馈电阻串联时，增益由下式给出：
显然，开关引起的增益误差取决于场效应管之间的匹配程度，而非场效应管导通电阻的绝对值。对于标准产品，给定封装内的所有场效应管保证在 50Ω 以内匹配。不过，也有低至 5Ω 匹配度的可选产品。由于 rDS(On) 的绝对值仅保证小于 100Ω 或 150Ω，因此使用补偿场效应管可显著提高增益精度。
单刀双掷开关的优点是当串联元件关断时具有高抗噪性。例如，如果一个 ±10V 的模拟输入由 TTL 集电极开路逻辑进行开关操作，当逻辑电平为 +15 伏时，串联开关关断。此时，二极管导通，将源极电压保持在约 +0.7 伏，对地的交流阻抗为 25 欧姆。因此，叠加在 +10 伏模拟输入上的随机噪声不会误触发场效应管，因为噪声电压会被分流到地。
当切换负电压时，输入会进一步使关断电压超过夹断电压，因此场效应管不会有导通的危险。
