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SI2301S
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.3A
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- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- SI2301S
- 商品编号
- C427389
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
商品特性
-沟槽式场效应晶体管功率MOSFET
应用领域
-高端负载开关-开关电路-高速线路驱动器