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LPSC2301

1个P沟道 耐压:20V 电流:2A

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描述
P沟道 -20V -2A
商品型号
LPSC2301
商品编号
C424189
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.017克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)2A
导通电阻(RDS(on))110mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)780mW
阈值电压(Vgs(th))1V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)8.2nC@4.5V
输入电容(Ciss)406pF
反向传输电容(Crss)44.1pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)51.7pF

商品概述

这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽双扩散金属氧化物半导体晶体管(DMOST)技术。这种先进技术经过专门设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

商品特性

  • -20V、-2A,RDS(ON).max = 110 m Ω(VGS = -4.5 V时)
  • 改善了dv/dt能力
  • 快速开关
  • 有环保型器件可供选择

应用领域

  • 脉冲宽度调制(PWM)应用
  • 负载开关
  • 便携式设备

数据手册PDF