商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | - | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 310mW | |
| 直流电流增益(hFE) | - | |
| 输入电阻 | 4.7kΩ |
商品概述
这款全新系列的数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个单晶体管和由两个电阻组成的单片偏置网络，即一个基极串联电阻和一个基极 - 发射极电阻。BRT通过将这些分立元件集成到单个器件中，从而省去了它们。使用BRT可降低系统成本并节省电路板空间。该器件采用SC - 70/SOT - 323封装，专为低功率表面贴装应用而设计。
商品特性
- 简化电路设计
- 节省电路板空间
- 减少元件数量
- SC - 70/SOT - 323封装可采用波峰焊或回流焊。改进的鸥翼形引脚在焊接过程中可吸收热应力，避免芯片受损。
- 提供8 mm压纹带盘包装 – 使用器件编号订购7英寸/3000个装的带盘。若要订购13英寸/10000个装的带盘，可将器件编号中的“T1”替换为“T3”。
- 带有S和NSV前缀的产品适用于汽车及其他有特殊产地和控制变更要求的应用；符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），且符合RoHS标准*