温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NSVMUN5338DW1T3G
NSVMUN5338DW1T3G
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NSVMUN5338DW1T3G
- 商品编号
- C3589121
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个PNP-预偏置,1个NPN | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 250mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 20@5mA,10V | |
| 输入电阻 | 6.1kΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。BRT通过将这些分立元件集成到单个器件中，从而省去了这些元件。使用BRT可以降低系统成本并节省电路板空间。
商品特性
- 简化电路设计
- 节省电路板空间
- 减少元件数量
- NSV前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力*
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），并符合RoHS标准