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NSB9435T1实物图
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NSB9435T1

NSB9435T1

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NSB9435T1
商品编号
C3588839
商品封装
SOT-223​
包装方式
编带
商品毛重
0.202克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录数字晶体管
数量1个PNP-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)30V
集电极电流(Ic)3A
属性参数值
耗散功率(Pd)3W
直流电流增益(hFE)125
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 集电极 - 发射极维持电压 VCEO = 30 Vdc(最小值),@IC = 10mA
  • 高直流电流增益 -
    • hFE = 125(最小值),@IC = 0.8 Adc
    • hFE = 90(最小值),@IC = 3.0 Adc
  • 低集电极 - 发射极饱和电压 -
    • VCE = 0.275Vdc(最大值),@IC = 1.2Adc
    • VCE = 0.55Vdc(最大值),@IC = 3Adc
  • SOT - 223 表面贴装封装
  • 静电放电等级 - 人体模型:1B 类
  • 通过 AEC - Q101 认证且具备生产件批准程序(PPAP)能力
  • NSV 前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用
  • 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),并符合 RoHS 标准

数据手册PDF