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INN700DA190B
700V GaN 增强型功率晶体管
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- 描述
- 700V GaN 硅增强型功率晶体管，采用双扁平无引脚封装 (DFN)，尺寸为 5mm × 6mm。
- 商品型号
- INN700DA190B
- 商品编号
- C39831319
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25228克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 82W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 96pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 30pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 138mΩ |
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