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INN040FQ012A
*半导体*晶体管
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- 描述
- 双向硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管 (HEMT)，采用尺寸为 6 mm x 4 mm 的 FCQFN 封装。
- 商品型号
- INN040FQ012A
- 商品编号
- C39832342
- 商品封装
- FCQFN-27(4x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1094克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 耗散功率(Pd) | 105W | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1nF | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.6nF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.9mΩ |