DTA114EET1
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | - | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 60@5mA,10V | |
| 输入电阻 | 10kΩ | |
| 电阻比率 | 1 |
商品概述
这款全新的数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管；一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。BRT通过将这些独立组件集成到单个器件中，从而省去了这些组件。使用BRT可以降低系统成本并节省电路板空间。该器件采用SC - 75/SOT - 416封装，专为低功率表面贴装应用而设计。
商品特性
- 简化电路设计
- 节省电路板空间
- 减少元件数量
- SC - 75/SOT - 416封装可采用波峰焊或回流焊。改进的鸥翼形引脚在焊接过程中可吸收热应力，消除芯片受损的可能性。
- 通过AEC - Q101认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用的S前缀型号
- 提供无铅封装*