商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 晶体管类型 | NPN+PNP | |
| 直流电流增益(hFE) | - | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 10V | |
| 最小输入电压(VI(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 800mV@100uA,5V | |
| 输出电压(VO(on)) | - | |
| 输入电阻 | - | |
| 电阻比率 | 1 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 150mV@10mA,0.5mA | |
| 特征频率(fT) | - | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
商品概述
采用无引脚超小型DFN1010B-6(SOT1216)表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN/PNP双电阻晶体管(RET)。
商品特性
- 输出电流能力达100 mA
- 内置偏置电阻
- 简化电路设计
- 封装高度低至0.37 mm
- 减少元件数量
- 降低贴装成本
- 通过AEC-Q101认证
应用领域
- 低电流外设驱动器
- 控制IC输入
- 在数字应用中替代通用晶体管
- 移动应用


