DTC143ZET1
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | - | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | - | |
| 输入电阻 | 4.7kΩ | |
| 电阻比率 | 1 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款全新系列的数字晶体管旨在替代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT（偏置电阻晶体管）包含一个单晶体管和由两个电阻组成的单片偏置网络，即一个基极串联电阻和一个基极 - 发射极电阻。BRT将这些分立元件集成到单个器件中，从而省去了这些元件。使用BRT可降低系统成本并节省电路板空间。该器件采用SC - 75/SOT - 416封装，专为低功率表面贴装应用而设计。
商品特性
- 简化电路设计
- 节省电路板空间
- 减少元件数量
- SC - 75/SOT - 416封装可采用波峰焊或回流焊
- 改进的鸥翼形引脚可在焊接过程中吸收热应力，消除芯片受损的可能性
- 提供无铅封装