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DDTA113TUA-7-F
SOT323封装的PNP预偏置晶体管
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- 描述
- 特性：外延平面芯片结构。 有互补NPN类型（DDTC）。 内置偏置电阻，仅R1。 完全无铅，完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DDTA113TUA-7-F
- 商品编号
- C3588750
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个PNP-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 直流电流增益(hFE) | 100@1mA,5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 输入电阻 | 1kΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV@1mA,10mA | |
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 500nA |
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