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MM74HCT245N
MM74HCT245N
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MM74HCT245N
- 商品编号
- C3587267
- 商品封装
- PDIP-20
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 缓冲器/驱动器/收发器 | |
| 输入类型 | - | |
| 输出类型 | 三态 | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 元件数 | 1 | |
| 每个元件位数 | 8 | |
| 通道类型 | 双向 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 灌电流(IOL) | 7.2mA | |
| 拉电流(IOH) | 7.2mA | |
| 系列 | 74HCT | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 静态电流(Iq) | 160uA | |
| 传播延迟(tpd) | 16ns@5V,45pF | |
| 功能特性 | 输出使能 |
商品概述
MM74HCT245三态双向缓冲器采用先进的硅栅CMOS技术，用于数据总线之间的双向异步通信。它具有高驱动电流输出，即使在驱动大总线电容时也能实现高速运行。该电路具备CMOS电路的低功耗特性，同时速度可与低功耗肖特基TTL电路相媲美。 该器件与TTL输入兼容，可驱动多达15个LS - TTL负载，并且所有输入通过连接到VCC和地的二极管防止静电放电损坏。 MM74HCT245有一个低电平有效使能输入（G）和一个方向控制（DIR）。当DIR输入为高电平时，数据从A输入流向B输出；当DIR为低电平时，数据从B流向A。 MM74HCT器件用于在TTL和NMOS组件以及标准CMOS器件之间进行接口。这些部件也可作为LS - TTL器件的直接替代品，可用于降低现有设计的功耗。
商品特性
- 与TTL输入兼容，具备用于连接系统总线的三态输出
- 高输出驱动电流：6mA（最小值）
- 高速：典型传播延迟为16ns
- 低功耗：160μA（74HCT系列）