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WMQ050N03LG4
30V N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- WMQ050N03LG4采用了的第四代功率沟槽MOSFET技术，该技术经过特别设计，可在最大程度降低导通电阻的同时保持出色的开关性能。此器件非常适合高效快速开关应用。
- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WMQ050N03LG4
- 商品编号
- C39512547
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1587克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 24W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 905pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 57pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 513pF |
商品特性
- 超低栅极电荷
- 有绿色环保器件可选
- 出色的Cdv/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
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