PN7006ASEC-R1

PN7006是一款基于P_SUB P_EPI工艺的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。浮动通道驱动器可用于独立驱动两个工作电压高达300V的N沟道功率MOSFET或IGBT。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。传播延迟经过匹配，便于在高频应用中使用。它有PN7006A和PN7006B两个版本。