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BFU530A
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 40mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 12V | |
| 耗散功率(Pd) | 450mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 11GHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 1nA | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 3V | |
| 数量 | 1个NPN |
商品概述
这是一款采用塑料3引脚SOT23封装，适用于高速低噪声应用的NPN型硅射频晶体管。BFU530A属于BFU5晶体管系列，适用于最高2 GHz的小信号至中等功率应用。
商品特性
- 低噪声，高击穿射频晶体管
- AEC-Q101认证
- 900 MHz下最小噪声系数为0.6 dB
- 900 MHz下最大稳定增益为18 dB
- 采用11 GHz fT硅工艺
应用领域
- 需要高电源电压和高击穿电压的应用
- 最高2 GHz的宽带放大器
- ISM应用的低噪声放大器
- ISM频段振荡器