2N7002K
1个N沟道 耐压:60V 电流:500mA
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描述
防静电,应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
- 品牌名称MDD(辰达半导体)
商品型号
2N7002K商品编号
C414015商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.031克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 300mA | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.4Ω@4.5V,300mA | |
功率 | 300mW |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 930pC@30V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 23.8pF@30V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 1.5pF@30V | |
工作温度 | -40℃~+150℃ | |
配置 | - |
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