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LN4501LT1G-HW实物图
  • LN4501LT1G-HW商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LN4501LT1G-HW

20V、3.2A,单N沟道,SOT-23封装

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描述
特性:领先的平面技术,实现低栅极电荷和快速开关。 额定电压2.5V,适用于低电压栅极驱动。 SOT-23表面贴装,占用空间小。 产品材料符合RoHS要求且无卤。应用:便携式设备的负载/电源开关。 计算机的负载/电源开关
商品型号
LN4501LT1G-HW
商品编号
C38681350
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.030933克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)3.2A
导通电阻(RDS(on))31mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.25W
阈值电压(Vgs(th))760mV
属性参数值
栅极电荷量(Qg)4.1nC@4.5V
输入电容(Ciss)390pF
反向传输电容(Crss)45pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)52pF

商品特性

  • 领先的平面技术,实现低栅极电荷/快速开关
  • 额定电压2.5 V,适用于低电压栅极驱动
  • 采用SOT - 23表面贴装封装,占用空间小
  • 我们声明产品材料符合RoHS要求且无卤。

应用领域

  • 便携式设备的负载/电源开关
  • 计算设备的负载/电源开关
  • DC - DC转换

数据手册PDF