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G01N20R
停产 1个N沟道 耐压:200V 电流:2A
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- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G01N20R
- 商品编号
- C412296
- 商品封装
- TO-92-3
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 0.208克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.34Ω@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 150pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
G01N20R采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 高密度单元设计，实现超低Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 散热性能良好的优质封装
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
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