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G86N06K
1个N沟道 耐压:60V 电流:272A
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- 描述
- 60V 68A 7.9mΩ@10V
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G86N06K
- 商品编号
- C412297
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 272A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 144W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
SVS11N65D/F/S/FJD2是采用超结MOS技术生产的N沟道增强型高压功率MOSFET。它实现了低传导损耗和开关损耗，使设计工程师能够设计出高效、高功率密度且热性能卓越的功率转换器。此外，它具有通用性，适用于硬开关和软开关拓扑。
商品特性
- 11A、650V，漏源导通电阻（典型值） = 0.33Ω，栅源电压 = 10V时
- 全新革命性高压技术
- 超低栅极电荷
- 具备周期性雪崩额定值
- 具备极高dv/dt额定值
- 高峰值电流能力