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GC11N70F实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

GC11N70F

1个N沟道 耐压:700V 电流:11A

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描述
700V 11A 395mΩ@10V
品牌名称
GOFORD(谷峰)
商品型号
GC11N70F
商品编号
C412293
商品封装
TO-220F-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.92克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)700V
连续漏极电流(Id)11A
属性参数值
导通电阻(RDS(on))395mΩ@10V,5.5A
耗散功率(Pd)31W
阈值电压(Vgs(th))4.5V@250uA

商品概述

GC11N70采用先进的超结技术和设计,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于工业AC-DC开关电源(SMPS)的功率因数校正(PFC)、AC/DC电源转换及其他工业电源应用需求。

商品特性

  • 高压器件的新技术
  • 低导通电阻和低传导损耗
  • 小封装
  • 超低栅极电荷,降低驱动要求
  • 100%雪崩测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 功率因数校正(PFC)
  • 开关电源(SMPS)
  • 不间断电源(UPS)

数据手册PDF