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WM03P51A
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 530pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
WM03P51A采用先进的功率沟槽技术,该技术经过特别优化,可在最小化导通电阻的同时保持卓越的开关性能。
商品特性
- VDS = -30 V,ID = -5.1 A
- 当VGS = -10 V时,RDS(on) < 52 mΩ
- 当VGS = -6 V时,RDS(on) < 65 mΩ
- 当VGS = -4.5 V时,RDS(on) < 80 mΩ
- 提供环保器件
- 栅极电荷低
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 100%保证耐雪崩能力
应用领域
-电源管理开关-DC/DC转换器