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NTH4L023N065M3S实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTH4L023N065M3S

NTH4L023N065M3S

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描述
特性:典型导通电阻RDS(on) = 23 mΩ,栅源电压VGS = 18 V。 超低栅极电荷QG(tot) = 69 nC。 低电容高速开关,输出电容Coss = 153 pF。 100%雪崩测试。 无卤,符合RoHS指令豁免条款7a,二级互连无铅。应用:开关电源。 太阳能逆变器
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTH4L023N065M3S
商品编号
C38351569
商品封装
TO-247-4L​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)67A
耗散功率(Pd)245W
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)69nC
属性参数值
输入电容(Ciss)1.952nF
反向传输电容(Crss)13pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)153pF
导通电阻(RDS(on))33mΩ

数据手册PDF