MB85RS16PNF-G-JNERE1
16K (2K × 8) Bit SPI Memory FRAM
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- 描述
- 16-Kbit(2K × 8bit)，SPI接口，工作电压：2.7V to 3.6V
- 商品型号
- MB85RS16PNF-G-JNERE1
- 商品编号
- C38647
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.314克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 铁电存储器(FRAM) | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 16Kbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 工作电流 | 2.4mA | |
| 时钟频率(fc) | 20MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 待机电流 | 15uA；5uA | |
| 睡眠模式电流(Izz) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 擦写寿命 | 1000000000000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 200年 | |
| 功能特性 | 工作状态指示 |
商品概述
MB85RS16是一款FRAM（铁电随机存取存储器）芯片，配置为2048字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺形成非易失性存储单元。MB85RS16采用串行外设接口（SPI）。MB85RS16无需像SRAM那样使用备用电池即可保持数据。其存储单元可进行10的12次方次读写操作，相比闪存和E²PROM支持的读写次数有显著提升。MB85RS16不像闪存或E²PROM那样需要较长时间写入数据，且无需等待时间。
商品特性
- 位配置：2048字×8位
- 串行外设接口：SPI（串行外设接口），对应SPI模式0（CPOL=0,CPHA=0）和模式3（CPOL=1,CPHA=1）
- 工作频率：20MHz（最大）
- 高耐久性：每字节1万亿次读写
- 数据保持：10年（+85℃），95年（+55℃），超过200年（+35℃）
- 工作电源电压：2.7V至3.6V
- 低功耗：工作电源电流1.5mA（典型值，20MHz），待机电流5μA（典型值）
- 工作环境温度范围：-40℃至+85℃