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SG2M040120L
SIC MOSFET 1200V40mΩ
- 描述
- 特性：高速开关。极低的开关损耗。IGBT 兼容驱动电压（导通时为 15V）。完全可控的 dv/dt。高阻断电压和低导通电阻。具有低反向恢复（Qrr）的快速本征二极管。应用：车载充电器/PFC。电动汽车电池充电器
- 品牌名称
- SICHAIN(清纯)
- 商品型号
- SG2M040120L
- 商品编号
- C37636037
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.666667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 62A | |
| 耗散功率(Pd) | 268W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.171nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 109pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ |