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NVMFWS2D1N08XT1G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NVMFWS2D1N08XT1G

N沟道标准栅极单功率MOSFET,低QRR、低RDS(on)、低Qg和电容,适用于同步整流和电机驱动

品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NVMFWS2D1N08XT1G
商品编号
C37414275
商品封装
SO-5FL​
包装方式
编带
商品毛重
0.55克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))1.9mΩ@10V
耗散功率(Pd)148W
阈值电压(Vgs(th))3.6V
栅极电荷量(Qg)53nC
属性参数值
输入电容(Ciss)3.8nF
反向传输电容(Crss)17pF
工作温度-55℃~+175℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)1.1nF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • 低 QRR,软恢复体二极管
  • 低 RDS(on),以最小化传导损耗
  • 低 QG 和电容,以最小化驱动损耗
  • 通过 AEC - Q101 认证,具备生产件批准程序(PPAP)能力
  • 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合 RoHS 标准

应用领域

  • DC - DC 和 AC - DC 中的同步整流(SR)
  • 隔离式 DC - DC 转换器中的初级开关
  • 电机驱动
  • 汽车 48V 系统

数据手册PDF