GS-065-018-2-L-MR

增强模式氮化镓功率晶体管

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: GS-065-018-2-L-MR
商品编号: C37402302
商品封装: PDFN-8(8x8)
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

GS-065-018-2-L 是一款 650V 增强型硅基氮化镓功率晶体管。氮化镓的特性使其能够实现高电流、高击穿电压和高开关频率。该产品采用的创新技术，例如专利的 Island Technology® 单元布局，实现了高电流芯片和高良率。GS-065-018-2-L 是一款底部冷却的晶体管，为要求严苛的高功率应用提供低结壳热阻。这些特性相结合，可实现极高效率的功率开关。

商品特性

650V 增强型功率晶体管
850V 瞬态漏源电压
底部冷却，8×8 mm PDFN 封装
导通电阻 = 78 mΩ
最大直流漏极电流 = 18 A / 最大脉冲漏极电流 = 35 A
简单的栅极驱动要求（0V 至 6V）
瞬态耐受栅极驱动（-20V / +10V）
高开关频率（> 1 MHz）
快速且可控的下降和上升时间
反向导通能力
零反向恢复损耗
源极检测引脚，用于优化栅极驱动
符合 RoHS 3 (6+4) 标准

应用领域

消费和工业电源
电源适配器
LED 照明驱动器
快速电池充电
功率因数校正

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	氮化镓晶体管(GaN HEMT)
	类型	N沟道
	技术路线	E-mode
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	18A
	耗散功率(Pd)	-
	阈值电压(Vgs(th))	1.7V

	属性	参数值
	数量	1个N沟道
	栅极电荷量(Qg)	4nC
	输入电容(Ciss)	132pF
	反向传输电容(Crss)	0.4pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	输出电容(Coss)	34pF
	导通电阻(RDS(on))	78mΩ