温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BGS12P2L6E6327
BGS12P2L6E6327
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 是一款通用射频MOS功率开关，设计用于覆盖从0.05到6 GHz的广泛高功率应用，主要用于GSM、WCDMA和LTE手机的发射路径。芯片集成了片上CMOS逻辑，由简单的单引脚CMOS或TTL兼容控制输入信号驱动。与GaAs技术不同，仅当外部施加直流电压时，才需要在RF端口使用外部直流隔直电容。采用英飞凌专利的MOS技术制造，兼具GaAs的性能以及传统CMOS的经济性和集成性，包括固有的更高ESD鲁棒性。尺寸非常小，仅为0.7×1.1 mm²，最大高度为0.31 mm。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BGS12P2L6E6327
- 商品编号
- C3312945
- 商品封装
- XFDFN-6(0.7X1.1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频开关 | |
| 电路结构 | 单刀双掷 | |
| 频率 | 50MHz~6GHz | |
| 隔离度 | 45dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 插入损耗 | 0.64dB | |
| 工作电压 | 1.65V~3.4V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
BGS12P2L6是一款通用射频MOS功率开关，设计用于覆盖0.05至6 GHz的广泛高功率应用，主要用于GSM、WCDMA和LTE手机的发射路径。该芯片集成了片上CMOS逻辑，由简单的单引脚CMOS或TTL兼容控制输入信号驱动。与砷化镓（GaAs）技术不同，只有在外部施加直流电压时，才需要在射频端口使用外部隔直电容。BGS12P2L6射频开关采用英飞凌（Infineon）的专利MOS技术制造，兼具GaAs的性能以及传统CMOS的经济性和集成度，包括固有的更高静电放电（ESD）鲁棒性。该器件尺寸极小，仅为0.7×1.1 mm²，最大高度为0.31 mm。
商品特性
- 高达37 dBm输入功率的高线性度
- 低插入损耗和高达6 GHz的高端口间隔离度
- 低电流消耗
- 片上控制逻辑
- 超薄无引脚塑料封装
- 符合RoHS和WEEE标准的封装
- 具有高达37 dBm功率处理能力的射频CMOS单刀双掷（SPDT）天线开关
- 适用于多模式LTE和WCDMA应用
- 低插入损耗和低谐波产生
- 覆盖0.05至6 GHz
- 高端口间隔离度
- 若射频线路上未施加直流电压，则无需隔直电容
- 无引脚、无卤封装TSLP - 6 - 4，横向尺寸为0.7 mm x 1.1 mm，厚度为0.31 mm
- 无需电源去耦
- 高电磁干扰（EMI）鲁棒性
应用领域
- GSM、WCDMA和LTE手机的发射路径