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BGS13SN8E6327
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- 描述
- 是一款专为WLAN和蓝牙应用设计的射频MOS开关。3个端口中的任何一个都可用作分集天线的终端，可处理高达30 dBm的功率。该SP3T在天线端口处具有低插入损耗和高抗干扰信号能力，在终端模式下产生低谐波。片上控制器集成了CMOS逻辑和电平转换器，由1.35V至VDD的控制输入驱动。采用英飞凌专利的MOS技术制造，兼具GaAs的性能以及传统CMOS的经济性和集成性，包括固有的更高ESD鲁棒性。尺寸仅为1.1×1.1mm²，最大高度为0.4mm。在典型应用中，只要任何RF端口不施加直流，就不需要去耦电容。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BGS13SN8E6327
- 商品编号
- C3312946
- 商品封装
- TSNP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频开关 | |
| 电路结构 | 单刀三掷 | |
| 频率 | 100MHz~6GHz | |
| 隔离度 | 40dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 插入损耗 | 0.65dB | |
| 工作电压 | 1.65V~3.4V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
BGS13SN8射频MOS开关专为WLAN和蓝牙应用而设计。3个端口中的任意一个都可用作分集天线的终端，可处理高达30 dBm的功率。 这款单刀三掷（SP3T）开关具有低插入损耗，在天线端口对干扰信号有高鲁棒性，且在终端模式下谐波产生低。片上控制器集成了CMOS逻辑和电平转换器，由1.35 V至VDD的控制输入驱动。BGS13SN8射频开关采用专利MOS技术制造，兼具砷化镓（GaAs）的性能以及传统CMOS的经济性和集成度，包括固有的更高静电放电（ESD）鲁棒性。该器件尺寸极小，仅为1.1×1.1 mm²，最大高度为0.4 mm。 在典型应用中，只要任何射频端口不施加直流电压，就无需解耦电容。
商品特性
- 3条高线性收发（TRx）路径，功率处理能力高达30 dBm
- 高开关速度，非常适合WLAN和蓝牙应用
- 低插入损耗
- 低谐波产生
- 高端口间隔离度
- 适用于EDGE / CDMA2000 / LTE / WCDMA应用
- 覆盖0.1至6 GHz
- 若射频线路上不施加直流电压，则无需解耦电容
- 片上控制逻辑，包括ESD保护
- 通用输入输出（GPIO）接口
- 小尺寸封装，1.1 mm x 1.1 mm
- 无需电源阻隔
- 高电磁干扰（EMI）鲁棒性
- 符合RoHS和WEEE标准的封装
应用领域
- WLAN
- 蓝牙
- EDGE
- CDMA2000
- LTE
- WCDMA
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