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2N7002
1个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
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- 描述
- N沟道
- 品牌名称
- LGE(鲁光)
- 商品型号
- 2N7002
- 商品编号
- C402224
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 225mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品特性
- 当 VGS = -4.5 V、ID = -9.4 A 时，最大 RDS(on) = 20 mΩ
- 当 VGS = -2.5 V、ID = -8.6 A 时，最大 RDS(on) = 24 mΩ
- 当 VGS = -1.8 V、ID = -7.2 A 时，最大 RDS(on) = 34 mΩ
- 低外形 - 新的 2x2 mm MicroFET 封装最大高度为 0.8 mm
- 典型 HBM ESD 保护等级 > 2.8 kV
- 不含卤化物和氧化锑
- 符合 RoHS 标准
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