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AP2N030EN
AP2N030EN
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- 品牌名称
- APEC(富鼎)
- 商品型号
- AP2N030EN
- 商品编号
- C3294427
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.25V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.4nC | |
| 输入电容(Ciss) | 832pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
商品概述
Power MOS 7° 是新一代低损耗、高压、N沟道增强型功率 MOSFET。Power MOS 7° 通过显著降低 RDS(ON) 和栅极电荷 Qg 来解决导通损耗和开关损耗问题。Power MOS 7° 结合了更低的导通损耗和开关损耗，以及先进功率技术公司（APT）专利金属栅极结构固有的极快开关速度。
商品特性
- 支持2.5V栅极驱动
- 更低的栅极电荷
- 快速开关性能
- 符合RoHS标准且无卤
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