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JMTG4004A
JMTG4004A
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- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMTG4004A
- 商品编号
- C3294603
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25828克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 61W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.595nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 340pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 411pF |
商品概述
Power MOS 7°是新一代低损耗、高压、N沟道增强型功率MOSFET。Power MOS 7°通过显著降低RDS(ON)和Qg，同时解决了导通损耗和开关损耗问题。Power MOS 7°结合了更低的导通和开关损耗，以及飞兆半导体专利金属栅极结构固有的极快开关速度。
商品特性
- 40V、100A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 3.5 mΩ
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 5.4 mΩ
- 提供无铅环保器件
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 产品无铅
应用领域
-负载开关-PWM应用-电源管理
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