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JMGG020V04A
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 特性：40V, 140A。 RDS(ON) < 2.4mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) < 3.5mΩ @ VGS = 4.5V。 先进的分裂栅沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 获得无铅产品认证。应用：负载开关。 PWM应用
- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMGG020V04A
- 商品编号
- C3294604
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25828克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.625nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 57pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
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