商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 76mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@30mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 430nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 |
商品概述
Power MOS V是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET。这项新技术可最大程度减小JFET效应，提高封装密度并降低导通电阻。Power MOS V还通过优化栅极布局实现了更快的开关速度。
商品特性
- 更快的开关速度
- 更低的漏电流
- 100%雪崩测试
- 表面贴装D³PAK封装
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