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IPP65R155CFD7XKSA1

650V,电流:10A,耐压:700V

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPP65R155CFD7XKSA1
商品编号: C3288941
商品封装: TO-220-3
包装方式: 管装
商品毛重: 2.718克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS™ 第七代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS™ P7系列是CoolMOS™ P6系列的继任者。它将快速开关超结MOSFET的优势与出色的易用性相结合，例如极低的振铃倾向、体二极管在硬换相时的出色耐用性以及卓越的静电放电（ESD）能力。此外，极低的开关损耗和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。

商品特性

由于具有出色的换相耐用性，适用于硬开关和软开关（PFC和LLC）
显著降低开关损耗和传导损耗
所有产品的ESD耐用性极佳，>2kV（HBM）
低RDS(on)A（低于1欧姆平方毫米）使得与竞品相比，RDS(on)/封装产品表现更优
完全符合JEDEC工业应用标准

应用领域

PFC级-硬开关PWM级-谐振开关级-电脑主机-适配器-液晶和等离子电视-照明-服务器-电信-不间断电源(UPS)

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	15A
	导通电阻(RDS(on))	155mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	77W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4.5V@320uA
	栅极电荷量(Qg)	28nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.283nF@400V
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道