RM12N100S8
N沟道,电流:12A,耐压:100V
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM12N100S8
- 商品编号
- C3279969
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这项先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- VDS = 100 V,ID = 12 A
- RDS(ON) = 8 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V
- RDS(ON) = 11 mΩ(典型值)@ VGS = 4.5 V
- 出色的栅极电荷×RDS(ON)乘积(品质因数)
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 工作温度150 °C
- 无铅引脚镀层
- 100%进行UIS测试
应用领域
- DC/DC转换器
- 非常适合高频开关和同步整流
- 无卤