RM4435
P沟道增强型功率MOSFET,电流:-9.1A,耐压:-30V
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM4435
- 商品编号
- C3279968
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 350pF |
商品概述
采用专有高单元密度 DMOS 技术生产的 SO-8 封装 N 沟道增强型功率场效应晶体管。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻并提供卓越的开关性能。这些器件特别适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理以及其他需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力的电池供电电路。
商品特性
- VDS = -30 V, ID = -9.1 A
- RDS(ON) < 35 m Ω @ VGS = -4.5 V
- RDS(ON) < 20 m Ω @ VGS = -10 V
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
-电池开关-负载开关-电源管理