A3PE3000-FGG484

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品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: A3PE3000-FGG484
商品编号: C3272408
商品封装: FPBGA-484(23x23)
包装方式: 托盘
商品毛重: 11.37克(g)

商品参数

商品概述

ProASIC3E 是 Microchip 闪存 FPGA 的第三代产品系列，其性能、密度和特性均超越了 ProASICPLUS 系列。非易失性闪存技术使 ProASIC3E 器件具备安全、低功耗、单芯片和即时上电的优势。ProASIC3E 可重复编程，并能在达到 ASIC 级别单位成本的同时加快产品上市时间。这些特性使设计人员能够利用现有的 ASIC 或 FPGA 设计流程和工具创建高密度系统。ProASIC3E 器件提供 1 kbit 的片上可编程非易失性 FlashROM 存储器，以及基于六个集成锁相环的时钟调理电路。ProASIC3E 器件拥有高达三百万的系统门，并支持高达 504 kbits 的真双端口 SRAM 和高达 620 个用户 I/O。部分 ProASIC3E 器件支持 Cortex-M1 软 IP 核，支持 ARM 的器件其 Microchip 订购编号以 M1A3PE 开头。

商品特性

高容量：600 k 至 300 万系统门；108 至 504 kbits 真双端口 SRAM；高达 620 个用户 I/O
可重复编程闪存技术：130 纳米、7 层金属（6 层铜）、基于闪存的 CMOS 工艺；支持即时上电等级 0；单芯片解决方案；断电时保留已编程设计
片上用户非易失性存储器：1 kbit 带同步接口的 FlashROM
高性能：350 MHz 系统性能；支持 3.3 V、66 MHz 64 位 PCI
在系统编程与安全性：通过 JTAG 使用片上 128 位高级加密标准解密进行在系统编程；FlashLock 设计用于保护 FPGA 内容安全
低功耗：低功耗核心电压；支持仅需 1.5 V 的系统；低阻抗闪存开关
高性能布线层次结构：分段式、层次化布线与时钟结构；超快速本地和长线网络；增强型高速、超长线网络；高性能、低偏斜全局网络；架构支持超高利用率
专业 I/O：支持 700 Mbps DDR、LVDS 的 I/O；1.5 V、1.8 V、2.5 V 和 3.3 V 混合电压操作；可选择的 I/O 电压组——每芯片最多 8 组；单端 I/O 标准：LVTTL、LVCMOS 3.3 V / 2.5 V / 1.8 V / 1.5 V、3.3 V PCI / 3.3 V PCI-X 以及 LVCMOS 2.5 V / 5.0 V 输入；差分 I/O 标准：LVPECL、LVDS、B-LVDS 和 M-LVDS；电压参考 I/O 标准：GTL+ 2.5 V / 3.3 V、GTL 2.5 V / 3.3 V、HSTL Class I 和 II、SSTL2 Class I 和 II、SSTL3 Class I 和 II；输入、输出和使能路径上的 I/O 寄存器；支持热插拔和冷备用 I/O；可编程输出压摆率和驱动强度；可编程输入延迟；单端输入上的施密特触发器选项；弱上拉/下拉；IEEE 1149.1 边界扫描测试；ProASIC3E 系列内引脚兼容的封装
时钟调理电路与锁相环：六个 CCC 模块，每个集成了一个锁相环；可配置的相移、倍频/分频、延迟能力和外部反馈；宽输入频率范围（1.5 MHz 至 350 MHz）
SRAM 与 FIFO：可变宽高比的 4,608 位 RAM 块（支持 ×1、×2、×4、×9 和 ×18 组织形式）；真双端口 SRAM（×18 除外）；24 种 SRAM 和 FIFO 配置，同步操作频率高达 350 MHz
ProASIC3E FPGA 中的 ARM 处理器支持：M1 ProASIC3E 器件——提供带或不带调试功能的 Cortex-M1 软处理器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	可编程逻辑器件(CPLD/FPGA)
	类型	-
	工作电压(VCCIO)	-
	逻辑单元数	-

	属性	参数值
	逻辑阵列块数量	-
	内嵌式块RAM(eRAM)	516096bit
	工作温度	0℃~+85℃