温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
GS66508B-TR
GS66508B-TR
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- GS66508B-TR
- 商品编号
- C36504600
- 商品封装
- SMD
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.1nC | |
| 输入电容(Ciss) | 242pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 65pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ |
商品概述
GS66508B是一款增强型硅基氮化镓功率晶体管。氮化镓的特性使其能够实现高电流、高击穿电压和高开关频率。其创新包括专利的岛状技术和低电感封装。岛状技术单元布局实现了高电流芯片和高良率。低电感封装在小型封装内实现了低电感和低热阻。该器件为底部散热型晶体管，为要求严苛的高功率应用提供了极低的结壳热阻。这些特性相结合，可提供高效率的功率开关。
商品特性
- 650V增强型功率晶体管
- 底部散热配置
- RDS(on) = 50mΩ
- IDS(max) = 30A
- 超优值芯片
- 低电感封装
- 简单的栅极驱动要求（0V至6V）
- 瞬态耐受栅极驱动（-20V / +10V）
- 非常高的开关频率（>10MHz）
- 快速且可控的下降和上升时间
- 反向导通能力
- 零反向恢复损耗
- 7.0×8.4mm²的小型PCB占位面积
- 源极检测引脚，用于优化栅极驱动
- 符合RoHS 3 (6+4)标准
应用领域
- AC-DC转换器
- DC-DC转换器
- 无桥图腾柱功率因数校正
- 逆变器
- 储能系统
- 车载电池充电器
- 不间断电源
- 太阳能
- 工业电机驱动
- 家用电器
- 激光驱动器
- 无线电力传输