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英特尔 赛扬 M 处理器和超低电压 (ULV) 英特尔 赛扬 M 处理器是高性能、低功耗的移动处理器，与现有的移动英特尔赛扬处理器相比，在微架构方面进行了多项增强。

英特尔赛扬 M 处理器在 Micro-FCBGA 和 Micro-FCPGA 封装技术中提供以下核心频率：

• 1.20 GHz (1.356 V)
• 1.30 GHz (1.356 V)
• 1.40 GHz (1.356 V)
• 1.50 GHz (1.356 V)

超低电压英特尔赛扬 M 处理器在 Micro-FCBGA 封装技术中提供以下频率：

• 800 MHz (1.004 V)
• 900 MHz (1.004 V)

Micro-FCPGA 封装插入到具有 479 个孔的表面贴装、零插入力 (ZIF) 插座中，该插座被称为 mPGA479M 插座。

该处理器的主要特性包括：

• 支持具有动态执行的英特尔架构
• 采用英特尔先进的 0.13 微米工艺技术和铜互连制造
• 具有微操作融合和高级堆栈管理等架构创新的高性能、低功耗核心，可减少处理器处理的微操作数量
• 片上 32-kB 指令缓存和 32-kB、回写、数据缓存
• 具有高级传输缓存架构的片上 512-kB 二级缓存
• 高级分支预测和数据预取逻辑
• 流式 SIMD 扩展 2 (SSE2)，可在多媒体应用程序中实现突破性的性能提升，包括 3D 图形、视频解码/编码和语音识别
• 400-MHz、源同步前端总线 (FSB)
• 高级电源管理功能
• 保持对 MMx 技术的支持
• 与 IA-32 软件兼容

该处理器还具有非常先进的分支预测架构，可显著减少错误预测的分支数量。该处理器的 Data Prefetch Logic 会在发生 L1 缓存请求之前将数据推测性地提取到 L2 缓存中，从而减少总线周期惩罚并提高性能。

新的打包、双精度、浮点指令可提高需要更大范围和精度的应用程序的性能，包括科学和工程应用程序以及高级 3D 几何技术，例如光线追踪。

该处理器的 400-MHz FSB 采用分事务、延迟响应协议。400-MHz FSB 使用源同步传输 (SST) 的地址和数据，通过每个总线时钟传输四次数据（4x 数据传输速率，如 AGP 4x）来提高性能。 此外，地址总线可以以每个总线时钟两次的速度传输地址，并称为“双时钟”或 2x 地址总线。 4x 数据总线和 2x 地址总线协同工作，可提供高达 3.2 GB/秒的数据总线带宽。 FSB 使用高级 Gunning 接收机逻辑 (AGTL+) 信号技术，这是一种具有低功耗增强功能的 GTL+ 信号技术的变体。