N28F256A150

英特尔的28F256 CMOs闪存提供了最具成本效益和可靠的可更新非易失性存储器替代方案。28F256在熟悉的EPROM技术基础上增加了电擦除和重新编程功能。内存内容可以在以下情况下被擦除和重新编程：在测试插座中；在PROM编程器插座中；在子组件测试期间板上操作；在最终测试期间系统内操作；以及售后系统内操作。28F256提高了存储器的灵活性，同时有助于节省时间和成本。28F256适用于可更改代码或数据存储应用，在这些应用中传统的E2PROM功能（字节擦除）要么不需要，要么不具成本效益。28F256也可以应用于EPROM紫外线擦除不切实际或耗时的情况。

• 存储代码或数据表的应用，特别是在需要定期更新的场景中。
• 作为密集型、非易失性数据采集和存储介质。
• 在系统生命周期的所有阶段（从原型设计到系统制造再到售后服务）进行代码更新。
• 通过电气芯片擦除和重新编程，在工作站或PROM编程插座中实现快速更新。
• 通过边缘连接器或串行通信链路本地或远程实施代码更新。
• 在子组件或最终组装阶段执行诊断时，通过电气芯片擦除和重新编程消除不必要的处理和不可靠的插座连接。
• 数据积累需求，例如周期性地记录和分析数据。
• 与微处理器/微控制器接口简化系统设计。